3月4日，三星知名品牌储存举行五周年典礼。期内表露了新的存储产品升级的时刻表。三星将在十月发布根据V—NAND技术性的3.84TB公司级SSD。及其在八月份发布读写能力速率达到2500/1500MB/s的根据NVMe通信接口的选用V—NAND 三d竖直闪存芯片技术性全新升级的950 PRO固态盘。
在公司级SSD层面，三星SM863/PM 863选用开拓性的 V—NAND技术性， 在 2.5 英尺的规格型号内将系统软件容积数最多提升到 3.84 TB，可节约珍贵的室内空间而沒有附加的功能损耗或危害特性。
SM863/PM 863完成了更提升的7X二十四小时经久耐用特性，可以考虑当今大数据中心自然环境要求。
三星的V—NAND闪存芯片选用竖直模块构造，不但提升了具备平面图构架的传统式闪存芯片在容积上的局限，更能大幅度提高商品的读写能力速率、耐用度和能耗等级。
该技术性选用有别于传统式NAND闪存芯片的排序方法，在一个三d的室内空间内竖直互联每个方面的数据存储器，促使在一样的平面图内得到大量的储存空间。那样的设计方案，我们可以通俗化的了解成，在企业室内空间内，晶体三极管的容积是以立体式方式层叠出現的，就如同在一块农田上建房子，如果是选用农村平房构造，那麼便会减少农田的使用率，如果选用房子的方式，便会大大的提高企业总面积的使用率。
PM 863，有着优异的任意载入/载入特性，专业为混和工作中负荷的大数据中心设计方案，如内容分发互联网 (CDN)、流媒体服务器解决或 Web服务端。在混和工作中负荷下出示很高的任意每秒钟键入/輸出实际操作频次 (IOPS)、较低的延迟时间、高些的可信性及其减少整体有着成本费 (TCO)。
SM863是专业为载入密集式运用而提升，如联网买卖解决、电子邮箱和数据库查询网络服务器，可以高效率解决很多的数据信息。SM863在使用性能、安全系数及其输出功率高效率层面主要表现出色。单盘持续载入/载入速率达到520/485MB/s，任意载入/载入IOPS达到97000/27000。其较低的延迟时间性可以在严苛的大数据中心自然环境对很多信息内容开展迅速解决和剖析。
另外在手机客户端SSD行业，三星将在2017年八月发布1TB容积的根据NVMe通信接口的SSD。它是三星发布第一款根据NVMe通信接口的选用V—NAND 三d竖直闪存芯片技术性全新升级的950 PRO固态盘。950 PRO选用4安全通道第三代PCI-e插口，持续读写能力和任意载入速度都有一定的提高，512GB的持续读写能力速率达到2500/1500MB/s，任意读写能力达到300000/110000 IOPS。满足客户需求对将来测算系统软件持续提升的储存要求。
在挪动固态盘层面，三星存储新发布了T3，它是一款仅有手掌心尺寸、具有TB级存储量的外接固态盘。T3选用三星特有的竖直V—NAND技术性和TurboWrite(载入加快)技术性，确保了商品的优秀特性，使之变成一般顾客、內容原创者、成功男士及其IT技术专业工作人员迅速、轻轻松松储存数据信息，开展跨机器设备大空间多媒体系统內容传送专用工具。
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